Специальный выпуск "Спутниковая связь и вещание"-2025

65 2025 СПУТНИКОВАЯ СВЯЗЬ И ВЕЩАНИЕ преимущество оптимизированных масок, адаптированных под кон- кретный дизайн и, следовательно, более низкой цены пластины. Р оссийские производители СВЧ МИС На российском рынке существует ряд компаний, занимающихся производ- ством микросхем, но на текущий мо- мент процесс создания пластин SiGe находится в разработке. Среди рос- сийских компаний наиболее крупным поставщиком по государственным и частным заказам является АО “Мик- рон” (Зеленоград), которое произво- дит микросхемы с Si по технологиче- ским процессам 90 нм и 180 нм КМОП и тестировало производство микросхем по техпроцессу в 65 нм. В рамках государственной про- граммы в Зеленограде ведется строи- тельство завода для производства микросхем по технологическому про- цессу 28 нм, оно должно завер- шиться в ближайшие годы. После этого понадобится разработка техно- логического процесса цифровой вер- сии 28 нм КМОП, а также его вер- сии с радиочастотными опциями. С точки зрения дальнейшего разви- тия можно ориентироваться на дан- ные производственные мощности. Кроме АО “Микрон” производство СВЧ МИС осуществляет АО “НМ- Тех” (Зеленоград). В России работают предприятия, ко- торые используют при производстве микросхем как арсенид галлия (GaAs), так и нитрид галлия (GaN): АО “ОКБ-Планета” (Великий Новго- род) и АО НПП “Исток” (Фрязино). Технологический процесс на данных предприятиях составляет 150 нм. О планах изменения техпроцесса и ввода новых, более передовых про- изводств информации пока нет. Среди других компаний России, за- нимающихся производством микро- схем на различных технологических процессах от 90 до 250 нм и на раз- ных материалах, можно выделить АО НПФ “Микран” (Томск) и АО “Светлана Рост” с GaAs. Если не вдаваться в детали техниче- ских требований к техпроцессам для изготовления СВЧ МИС, можно от- метить текущее отставание на одно поколение и более высокую стои- мость (как минимум за счет эф- фекта масштаба). Стоимость разра- батываемого продукта должна быть как минимум равна рыночной, и продукт не должен проигрывать по своим параметрам. В ыводы Стоимость СВЧ МИС составляет примерно 30% стоимости абонент- ского терминала, и при небольших партиях АТ сложно говорить о том, что если стоимость МИС снизить, то абонентские терминалы будут стоить как АТ Starlink (примерно $500). Мы отлично понимаем, что эта цифра имеет второе дно в виде суб- сидирования. Для существенного снижения стоимости АТ необходимо увеличивать объемы рынка АТ, а этого можно добиться, формируя и развивая рынок подвижной спут- никовой связи (ESIM), предостав- ляя клиентам качественные услуги связи при адекватных тарифах и рассматривая возможность синергии с сотовыми сетями, давая возмож- ность клиенту получать принципи- ально новый комплексный продукт. В настоящее время ни одна из рос- сийских компаний – производите- лей микросхем, к сожалению, не может удовлетворить техническим требованиям по созданию СВЧ МИС, необходимых для создания АФАР АТ. В будущем, с появле- нием российских заводов, работаю- щих по технологии 65–28 нм, ситуа- ция может существенным образом измениться и стоимость СВЧ МИС при массовом российском производ- стве и, соответственно, стоимость АТ в целом можно будет снизить. Для создания подобных рентабель- ных производств необходимы опре- деленные объемы рынка СВЧ МИС и, соответственно, рынка конечных изделий – абонентского и бортового оборудования спутниковой связи на базе АФАР. Китай, Япония, Корея и США подобными производствами располагают и насыщают СВЧ МИС не только национальные рынки, но и международные, тем самым гарантируя более адекватную стоимость микросхем и в итоге ко- нечных изделий. Таким образом, актуальной задачей на сегодняшний день является раз- работка отечественных СВЧ МИС по технологическим процессам 65– 28 нм, что в перспективе позволит сократить себестоимость элементной базы АФАР и увеличить процент выхода изделий на рынок. Л итература 1. Анпилогов В. О серийности и се- бестоимости абонентских термина- лов спутниковой системы широко- полосного доступа // Специальный выпуск “Спутниковая связь и веща- ние – 2024”. 2. Анпилогов В., Денисенко В., Зимин И., Ю. Кривошеев Ю., Че- кушкин Ю., Шишлов А. Про- блемы создания антенн c электри- ческим сканированием луча для абонентских терминалов спутни- ковых систем связи в Ku- и Ka- диапазонах // Первая миля. 2019. № 3. 3. Анпилогов В., Шишлов А., Эйдус А. Анализ систем LEO-HTS и реализуемости фазированных ан- тенных решеток для абонентских терминалов // Технологии и сред- ства связи. 2015. № 6–2, специ- альный выпуск “Спутниковая связь и вещание – 2016”. 4. JIA-CHI SAMUEL CHIEH 1, (Senior Member, IEEE), EVERLY YEO1, RAIF FARKOUH1, ALE- JANDRO CASTRO1, MAXWELL KERBER1, RANDALL B. OLSEN1, EMMANUEL J. MERULLA2, (Member, IEEE), AND SATISH KUMAR SHARMA 3, (Senior Mem- ber, IEEE) Development of Flat Panel Active Phased Array Antennas Using 5G Silicon RFICs at Ku- and Ka-Bands, IEEE, October 2020. 5. Hyunkyu Lee 1, Younghwan Kim 1, Iljin Lee 2, Dongkyo Kim 1, Kwangwon Park 3 and Sanggeun Jeon 1. A Ku-Band GaAs Multifunction Transmitter and Receiver Chipset, MDPI Electronics, August 2020. 6. Alfredo Catalani 1, 2, Giovanni Toso 1, Piero Angeletti 1, Mario Albertini 3 and Pasquale Russo 2. Development of Enabling Technologies for Ku-Band Airborne SATCOM Phased-Arrays, MDPI Electronics, March 2020. 7. Abdurrahman H. Aljuhani, Tumay Kanar, Samet Zihir, Gabriel M. Re- beiz UC San Diego, La Jolla, Cali- fornia, USA. A Scalable Dual-Polar- ized 256-Element Ku-Band SATCOM Phased-Array Transmitter with 36.5 dBW EIRP Per Polarization, Pro- ceedings of the 48th European Mi- crowave Conference, 25–27 Sept 2018, Madrid, Spain. 8. Miguel Ferrando-Rocher, Student Member, IEEE, Jose I. Herranz-Her- ruzo, Member, IEEE, Alejandro Valero-Nogueira, Senior Member, IEEE, Bernardo Bernardo-Clemente, Ashraf Uz Zaman, Jian Yang. 8 × 8 Ka- Band Dual-Polarized Array Antenna based on Gap Waveguide Technology. 9. Kasemodel, Justin A. Realization of a planar low-profile broadband phased array antenna. The Ohio State University, 2010.